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根据福建省晋华集成电路有限公司官网消息,2019年1月25日,公司已向美国商务部最终用户审查委员会提交信函,声明公司准备递交正式申诉,要求移出美国商务部实体清单。

晋华集成电路表示,为更充分了解和解决美商务部的顾虑,信函同时也要求美商务部提供其最终用户审查委员会做出将晋华列入实体清单决定所依据的文件材料。在接下来的几个月中,公司希望澄清自身并不存在危害美国国家安全的风险,并说明公司始终一以贯之地遵守美国法律。

此前,美国司法部2018年11月宣布对晋华集成电路和台湾联华电子提起指控,指称他们合谋窃取美国半导体公司美光的知识产权。2018年10月美国商务部宣布,已把晋华集成电路列入限制美国产品、软件和技术出口的“实体名单”。

针对美商务部上述做法,我国商务部新闻发言人2018年10月30日曾发表谈话,已经注意到美国商务部将福建省晋华集成电路有限公司列入美出口管制“实体清单”,中方反对美泛化国家安全概念、滥用出口管制措施,反对美实施单边制裁、干涉企业开展正常的国际贸易与合作。发言人表示,中方敦促美方采取措施,立即停止错误做法,便利和促进双方企业开展正常的贸易与合作,维护双方企业的合法权益。

晋华集成电路及台湾联华电子也都否认了美方的指控。1月10日晋华集成电路官网表示,已聘请专业代理机构协助其在美国进行法律事务、游说、公共关系方面的工作,共同致力于争取将晋华从美国商务部出口管制实体清单中移除。

官网还显示,晋华集成电路是由福建省电子信息集团、晋江能源投资集团有限公司等共同出资设立的先进集成电路生产企业。公司与台湾联华电子开展技术合作,投资56.5亿美元,在福建省晋江市建设12吋内存晶圆厂生产线,开发先进存储器技术和制程工艺,并开展相关产品的制造和销售。公司将以实现集成电路芯片国产化为己任,旨在成为具有先进工艺与自主知识产权体系的集成电路内存(DRAM)制造企业。

目前DRAM产能主要被三星、海力士、美光等几家企业垄断。福建晋华集成电路的DRAM内存项目是我国国内三大存储器项目之一,另外两个项目分别是长江存储(NAND)和合肥长鑫(DRAM)。合肥长鑫、福建晋华的DRAM项目产能开出后或将会对三星、海力士、美光等DRAM大厂形成冲击。